1965年，INTEL創(chuàng)始人戈登·摩爾在一篇論文中說，IC上可容納的晶體管數目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍，并且成本不變，這就是著名的摩爾定律。摩爾定律通過半個世紀的驗證，一直與集成電路的發(fā)展相一致，單片集成電路   上晶體管的數目每隔二年即翻一倍，單位面積上集成的數目也以這個速度發(fā)展。

在半個世紀的發(fā)展歷程中，集成電路技術突破了一個又一個發(fā)展瓶頸，這些技術瓶頸在當初普遍認為是很難克服的，比如移相光刻技術、電子束光刻技術等等，但最終這些復雜的問題都解決了，集成技術一步一步向前發(fā)展。

20世紀末期，當集成電路最小線寬向90nm及更小尺寸邁進時，碰到了更為復雜的技術難題。這種尺寸離原子尺寸已經越來越近，通常的生產設備上，對準精度、定位精度的誤差遠大于90nm, 甚至對地球本身的輕微震動都會很敏感。

在強大的技術和資源推動下，這些問題也慢慢得到解決，但是生產成本上升而成品率急劇下降，使這些技術的進步到了得不償失的地步，因此相應的技術進步的步伐慢下來了，集成電路的發(fā)展又到了一個新的瓶頸，并且有人認為摩爾定律已經失效，未來集成電路的集成度不會再按摩爾定律發(fā)展，比如2009年4月，IBM的科學家卡爾·安德森指出，摩爾定律很快就會成為歷史，他認為就像之前的火車、汽車和航空工業(yè)一樣，半導體工業(yè)也已經相當成熟，持續(xù)創(chuàng)新的速度也正在慢慢減緩，因此，摩爾定律很快失去效力。

阻礙芯片按摩爾定律發(fā)展的另一個技術問題是芯片功耗。由于越來越多的器件集成在更小的面積內，單位面積的熱量也成倍增加，在相同的散熱條件下，器件溫度也會成倍增加，因此TI數字信號處理器首席設師雷·西瑪也表示：“芯片性能成倍增加的時代已經結束。”

當設計工程師和晶圓生產工程師對摩爾定律一片悲觀之時，封裝工程師卻是另一種樂觀的聲音，由于多芯片封裝及系統級封裝等立體封裝技術的發(fā)展，使更多芯片被封裝在單個封裝體內，因此使單個封裝體內器件性能成倍增加。這給摩爾定律的延續(xù)創(chuàng)造了新的方向。2009年11月在國際微電子封裝年會上，3D封裝成為人們的主要話題，超越摩爾定律成為封裝行業(yè)的一致認同。半導體封裝方面的專家普遍認為：封裝在一個獨立的集成電路內的器件還會成倍增加，這種器件集成的速度可能比摩爾定律提出的發(fā)展速度更快。

因此，雖然摩爾定律在晶圓設計和制造生產過程中碰到了技術障礙，使器件集成度發(fā)展和線寬設計縮小進度越來越小，但半導體芯片封裝和系統級封裝使摩爾定律的延續(xù)注入了新的活力?？紤]這種因素，我們有理由認為摩爾定律還會繼續(xù)下去。